ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Browse by Person

Up a level
Export as [feed] RSS 2.0 [feed] RSS 1.0 [feed] Atom
Number of items: 2.

Yesayan, A. E. (2019) A capacitance model of short channel double-gate finfet including mobility degradation effect. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 72 (1). pp. 93-101. ISSN 0002-306X

Yesayan, A. E. (2018) Modeling of electrostatics and drain current SOI FinFET. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 71 (3). pp. 330-340. ISSN 0002-306X

This list was generated on Fri Dec 6 21:07:49 2019 AMT.