ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

ТЕРМО-ЭДС НЕОДНОРОДНО-ЛЕГИРОВАННОГО р-п ПЕРЕХОДА

Гаспарян, Ф. В. and Арутюнян, В. М. and Буниатян, В. В. (2005) ТЕРМО-ЭДС НЕОДНОРОДНО-ЛЕГИРОВАННОГО р-п ПЕРЕХОДА. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 58 (2). pp. 307-317. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
685Kb

Abstract

Рассмотрено влияние неравномерного (экспоненциального) распределения концентрации легирующих мелких акцепторов на коэффициент термо-ЭДС термоэлемента на основе р-п перехода. Показано, что созданное дополнительное внутреннее тянущее поле способствует увеличению коэффициента термо-ЭДС. Численные расчеты проведены для р-п переходов на основе Si и Pb0.8Sn0.2Te.

Item Type:Article
Additional Information:ԱՆՀԱՄԱՍԵՌ ԼԵԳԻՐԱՑՎԱԾ p-n ԱՆՑՄԱՆ ՋԵՐՄԱԷԼՇՈՒՆ / Ֆ. Վ. ԳԱՍՊԱՐՅԱՆ, Վ. Մ. ՀԱՐՈՒԹՅՈՒՆՅԱՆ,Վ. Վ. ԲՈՒՆԻԱԹՅԱՆ։ THERMO-EMF OF NON-HOMOGENEOUSLY DOPED p-n JUNCTION / F. V. GASPARYAN, V. M. AROUTIOUNIAN, V. V. BUNIATYAN.
Uncontrolled Keywords:термоэлемент, термо-ЭДС, градиент концентрации, диффузия, дрейф.
Subjects:T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
ID Code:803
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:08 Apr 2011 14:04
Last Modified:12 Mar 2014 12:39

Repository Staff Only: item control page