ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիումկարբիդային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականույունները

Բունիաթյան, Վ. Վ. and Միքայելյան, L. Ա. (2005) Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիումկարբիդային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականույունները. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 58 (1). pp. 120-126. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
754Kb

Abstract

Տեսականորեն հետազոտվել է Շոտկիի արգելքով կառավարվող SiC-ային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականության և դիքության կախվածությունը կիրառված լարումներից և բյուրեղի մյուս էլեկտրաֆիզիկական պարամետրերից, երբ ուղետարի տիրույթում հարստացնող խառնուրդները հանդիսանում են խորը և կիսահաղորչի արգելման գոտում առկա են կպչուն մակարդակներ (լիցքակիրների թակարդներ): Բնութագրերի ուսումնասիրման և հաշվարկման համար առաջարկվել է նոր, ավելի ընդհանուր մոդել, որն ավելի ճշգրիտ է ներկայացնում իրական սիլիցիում-կարբիդային տրանզիստորներում ընթացող երևույթները: Исследованы зависимости проводимости канала и крутизны SiC полевых транзисторов с барьером Шоттки (ПТШ) от приложенных напряжений и электрофизических параметров кристалла при наличии глубоких уровней и уровней прилипания в запрещенной зоне полупроводника. Предложенная новая модель позволяет глубже представить физические процессы, происходяшие в реальных SiC ПТШ. The dependencies of conductance and transconductance of Schottky barrier MESFET’s on the bias voltage and other electrophysical parameters of semiconductor crystalls are theoretically examined with the deep impurity and trap levels in the bandgap of the channel exist. The new model allows to present deeper the processes which take place in real SiC MESFET’s.

Item Type:Article
Additional Information:Статические характеристики карбид - кремниевых полевых транзисторов с глубокими примесными уровнями и уровнями прилипания; Conductances of schottky barrier mesfet’s with the deep impurity and trap levels
Uncontrolled Keywords:Буниатян В. В., Микаелян Л. А., Buniatyan V. V., Mikaelyan L. A., խառնուրդային խորը մակարդակ, կպչուն մակարդակ (էլեկտրոնային թակարդներ),ելքային հաղորդականություն, դիքություն
Subjects:T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
ID Code:748
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:06 Apr 2011 14:36
Last Modified:06 Feb 2020 18:42

Repository Staff Only: item control page