ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

A capacitance model of short channel double-gate finfet including mobility degradation effect

Yesayan, A. E. (2019) A capacitance model of short channel double-gate finfet including mobility degradation effect. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 72 (1). pp. 93-101. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
340Kb

Abstract

A capacitance compact and explicit model is introduced for a short channel Double gate (DG) undoped FinFET including the mobility degradation effect. The capacitance model is developed on the basis of the channel charge partition, and is the generalization of previously developed capacitance model accounted only for constant mobility. Ներկայացված է կարճ ուղետարով երկփականի ՖինՖԵՏ տրանզիստորի ունակության մոդելը, որտեղ հաշվի է առնված լիցքակիրների շարժունակության դեգրադացիան: Ունակության մոդելը հիմնված է ուղետարի լիցքի տերմինալների միջև բաժանման գաղափարի վրա և հանդիսանում է հաստատուն շարժունակության համար նախկինում մշակված մոդելի ընդհանրացումը: Исследован короткоканальный, нелегированный FinFET полевой транзистор с двойным затвором. Разработана компактная модель емкости структуры, включая эффект деградации подвижности.

Item Type:Article
Additional Information:Երկփականի, կարճ ուղետարով ֆինֆետ տրանզիստորի ունակության մոդելը շարժունակության դեգրադացիայի պայմաններում; Модель емкости короткоканального финфета с двойным затвором, включая эффект деградации подвижности
Uncontrolled Keywords:Եսայան Ա. Է., Есаян А. Э., DGFinFET/MOSFET, capacitance model, mobility degradation, short channel effects, compact modeling
Subjects:T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
ID Code:4241
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:17 Sep 2019 14:52
Last Modified:07 May 2020 00:07

Repository Staff Only: item control page