ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Efficient surface passivation of n-type black silicon

Ayvazyan , G. Y. and Khudaverdyan, S. K. and Lebedev, M. S. and Semchenko, A. V. (2019) Efficient surface passivation of n-type black silicon. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 72 (1). pp. 78-84. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
646Kb

Abstract

Surface recombination losses significantly reduce the efficiency of black silicon (b-Si)for solar cell applications. Surface passivation using suitable dielectric films can minimize these losses. Մակերևութային վերամիավորման կորուստները զգալիորեն փոքրացնում են սև սիլիցիումի (b-Si) արդյունավետությունը արևային էլեմենտներում կիրառելու համար: Այդ կորուստները կարելի է նվազեցնել՝ մակերևույթը պասսիվացնելով որոշակի մեկուսիչ թաղանթներով: Потери, обусловленные поверхностной рекомбинацией, значительно снижают эффективность черного кремния (b-Si) для применения в солнечных элементах. Пассивация поверхности с использованием определенных диэлектрических пленок может минимизировать эти потери.

Item Type:Article
Additional Information:N-տիպի սև սիլիցիումի մակերևույթի արդյունավետ պասսիվացումը; Эффективная пассивация поверхности черного кремния n-типа
Uncontrolled Keywords:Այվազյան Գ. Ե., Խուդավերդյան Ս. Խ., Լեբեդեվ Մ. Ս., Սեմչենկո Ա. Վ., Айвазян Г. Е., Худавердян С. Х., Лебедев М. С ., Семченко А. В., black silicon, solar cell, passivation, reflection, atomic layer deposition, hafnium dioxide
Subjects:T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
ID Code:4239
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:17 Sep 2019 13:29
Last Modified:30 Apr 2020 21:29

Repository Staff Only: item control page