ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Modeling of electrostatics and drain current SOI FinFET

Yesayan, A. E. (2018) Modeling of electrostatics and drain current SOI FinFET. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 71 (3). pp. 330-340. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
831Kb

Abstract

An analytical expression is obtained for 2D electrostatic potential in Tri-Gate SOI FinFET in weak and moderate inversion regimes.Ստացվել է անալիտիկ արտահայտություն երկչափ էլեկտրաստատիկ պոտենցիալի համար եռակի փականով SOI FinFET-ում:Получено аналитическое выражение для двумерного электростатического потенциала в трехзатворном SOI FinFET при слабой и умеренной инверсии.

Item Type:Article
Additional Information:Էլեկտրաստատիկայի և ելքային հոսանքի մոդելավորումը SOI FinFET-ում / Եսայան Ա.Է. Моделирование электростатики и выходной тока SOI FinFET / Есаян А.Э.
Uncontrolled Keywords:SOI FinFET, MOSFET, undoped body, Tri-gate FET, threshold voltage, potential model.
Subjects:T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
ID Code:4226
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:22 Feb 2019 16:23
Last Modified:25 Feb 2019 16:06

Repository Staff Only: item control page