ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Cut-off circuit for dual rail sram periphery with improved dynamic power

Melikyan, V. Sh. and Avetisyan, A. V. and Safaryan, K. H. (2017) Cut-off circuit for dual rail sram periphery with improved dynamic power. Հայաստանի ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 70 (4). pp. 459-466. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
473Kb

Abstract

New circuit technique to reduce the dynamic mode power of SRAM is proposed. A cut-off-circuit (COC) is proposed to turn off the periphery voltage while keeping memory array voltage as high. This circuit is implemented in a dual-rail-supply SRAM. Առաջարկվում է նոր սխեմա` ստատիկ կամայական ընտրությամբ հիշասարքի դինամիկ ռեժիմի հզորությունը նվազեցնելու նպատակով: Ներկայացվում է մի շղթա, որն անջատում է շրջագծի լարումը` պահպանելով հիշողության մատրիցի լարումը: Ի տարբերություն դինամիկ հզորության կրճատման այլ մեթոդների` առաջարկվող մեթոդն ապահովում է դինամիկ հզորության նվազեցումը՝ միևնույն ժամանակ ունենալով մակերեսի նվազագույն աճ: Այս սխեման իրականացված է կրկնակի սնուցման դողերով ստատիկ կամայական ընտրությամբ հիշասարքերում: Предложена новая схема для снижения мощности динамического режима статической памяти с произвольным доступом. Предлагается цепь, которая отключает напряжение периферии, при этом сохраняя напряжение матрицы памяти. В отличие от других методов снижения динамической мощности, предложенный метод имеет меньшую разницу в площади памяти и в то же время обеспечивает наибольшее снижение динамической мощности. Эта схема реализована в статической памяти с произвольным доступом с двумя шинами питания.

Item Type:Article
Additional Information:Ստատիկ կամայական ընտրությամբ հիշասարքի դինամիկ հզորության նվազեցման սխեմա / Վ. Շ. Մելիքյան, Ա. Վ. Ավետիսյան, Կ. Հ. Սաֆարյան։ Схема для снижения динамической мощности в статической памяти с произвольным доступом / В. Ш. Меликян, А. В. Аветисян, К. Г. Сафарян.
Uncontrolled Keywords:static random access memory: power; voltage: dynamic; supply; dual-rail.
Subjects:T Technology > T Technology (General)
ID Code:4179
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:25 Apr 2018 17:34
Last Modified:13 Jun 2019 16:26

Repository Staff Only: item control page