Խուդավերդյան, Ս. Խ. and Խաչատրյան, Մ. Գ. and Հովհաննիսյան, Տ. Ս. and Մեհրաբյան, Ն. Բ. (2016) Սպեկտրալուսաչափական հնարավորությամբ սիլիցիումային երկարգելք կառուցվածք. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 69 (4). pp. 393-402. ISSN 0002-306X
![]()
| PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader 969Kb |
Abstract
Հետազոտվել են ուղղաձիգ տեղաբաշխված սիլիցիումային երկարգելք TiSi-n-Si-p-Sz կառուցվածքի սպեկտրային ընտրողական զգայնության հնարավորությունները: Исследованы возможности спектральной селективной чувствительности вертикально расположенной двухбарьерной кремниевой TiSi-n-Si-p-Sz структуры. The possibilities of the spectral selective sensitivity of a double barrier silicon TiSi-n-Si-p-Sz structure placed vertically are investigated.
Item Type: | Article |
---|---|
Additional Information: | Кремниевая структура с двойным барьером и спектрофотометрическими способностями; A double-barrier silicon structure with spectrophotometric abilities |
Uncontrolled Keywords: | Худавердян С. Х., Хачатрян М. Г., Оганесян Т. С., Меграбян Н. Б., Khudaverdyan S. Kh., Khachatryan M. G., Hovhannisyan T. S., Mehrabyan N. B., սպեկտրային բաշխվածություն, ճառագայթի ինտենսիվություն, օպտիկական միջավայր, մոդելավորում |
Subjects: | T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
ID Code: | 4119 |
Deposited By: | Fundamental Scientific Library |
Deposited On: | 05 Apr 2017 14:26 |
Last Modified: | 25 Apr 2020 23:59 |
Repository Staff Only: item control page