ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Սպեկտրալուսաչափական հնարավորությամբ սիլիցիումային երկարգելք կառուցվածք

Խուդավերդյան, Ս. Խ. and Խաչատրյան, Մ. Գ. and Հովհաննիսյան, Տ. Ս. and Մեհրաբյան, Ն. Բ. (2016) Սպեկտրալուսաչափական հնարավորությամբ սիլիցիումային երկարգելք կառուցվածք. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 69 (4). pp. 393-402. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
969Kb

Abstract

Հետազոտվել են ուղղաձիգ տեղաբաշխված սիլիցիումային երկարգելք TiSi-n-Si-p-Sz կառուցվածքի սպեկտրային ընտրողական զգայնության հնարավորությունները: Исследованы возможности спектральной селективной чувствительности вертикально расположенной двухбарьерной кремниевой TiSi-n-Si-p-Sz структуры. The possibilities of the spectral selective sensitivity of a double barrier silicon TiSi-n-Si-p-Sz structure placed vertically are investigated.

Item Type:Article
Additional Information:Кремниевая структура с двойным барьером и спектрофотометрическими способностями; A double-barrier silicon structure with spectrophotometric abilities
Uncontrolled Keywords:Худавердян С. Х., Хачатрян М. Г., Оганесян Т. С., Меграбян Н. Б., Khudaverdyan S. Kh., Khachatryan M. G., Hovhannisyan T. S., Mehrabyan N. B., սպեկտրային բաշխվածություն, ճառագայթի ինտենսիվություն, օպտիկական միջավայր, մոդելավորում
Subjects:T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
ID Code:4119
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:05 Apr 2017 14:26
Last Modified:25 Apr 2020 23:59

Repository Staff Only: item control page