ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

32/28նմ տեխնոլոգիական գործընթացում գրպանիկի մոտիկության երևույթի ազդեցության նվազեցման եղանակ

Կասարջյան, Հ. Գ. (2015) 32/28նմ տեխնոլոգիական գործընթացում գրպանիկի մոտիկության երևույթի ազդեցության նվազեցման եղանակ. Հայաստանի ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 68 (4). pp. 491-496. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
747Kb

Abstract

Գրպանիկի մոտիկության երևույթի նվազեցման նպատակով ընտրվել է հոսանքի հայելու N-ՄՕԿ տրանզիստորներով իրականացված սխեմա, որը համեմատվել է P-ՄՕԿ տրանզիստորներով իրականացված սխեմայի պարամետրերի հետ: Для снижения эффекта близости кармана выбрана схема токового зеркала с N-МОП транзисторами. Проведено сравнение полученных данных с параметрами схемы на P-МОП транзисторах. For decreasing the well proximity effect on the final results of the physical design of a current mirror, N-MOS transistors are selected. The obtained data are compared with the parameters of the scheme with the P-MOS transistors.

Item Type:Article
Additional Information:Метод снижения влияния эффекта близости кармана в 32/28 нм технологическом процессе / О. Г. Касарджян. A method for decreasing the impact of the well proximity effect in the 32/28 nm technological process / H. G. Kasarjyan.
Uncontrolled Keywords:գրպանիկի մոտիկության երևույթ, հոսանքի հայելի, շեմային լարում, տրանզիստորի հոսանքի շեղում:
Subjects:T Technology > T Technology (General)
ID Code:4066
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:15 Mar 2016 16:00
Last Modified:15 Mar 2016 16:00

Repository Staff Only: item control page