ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Моделирование запоминающего элемента EEPROM

Меликян, Г. Ш. (2012) Моделирование запоминающего элемента EEPROM. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 65 (4). pp. 391-399. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
395Kb

Abstract

Проведено исследование и моделирование запоминающего элемента и усилителя считывания EEPROM. Модель запоминающего элемента основана на оригинальной методике расчета потенциала плавающего затвора в условиях постоянного тока без фиксированных емкостных коэффициентов связи. Приведены частотные и временные характеристики схемы усилителя считывания с использованием программного пакета HSPICE. The investigation and modeling of the storage element and the readout amplifier EEPROM is carried out. Model memory element is based on the original method of calculating the potential of floating gate in DC without fixed capacitive coupling coefficients. The frequency and temporal characteristics of the amplifier readout using a software package HSPICE is presented.

Item Type:Article
Additional Information:EEPROM հիշողության տարրի մոդելավորումը / Գ. Շ. Մելիքյան։ Simulation of memory cell EEPROM / G. Sh. Melikyan.
Uncontrolled Keywords:транзистор, плавающий затвор, емкость, заряд, модель, моделирование, насыщение, пороговое напряжение
Subjects:T Technology > T Technology (General)
ID Code:3818
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:21 May 2013 13:20
Last Modified:12 Mar 2014 12:39

Repository Staff Only: item control page