ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Retention flop boosting mechanism for self save/restore gapability

Melikyan, V. Sh. and Petrosyan, H. P. and Durgaryan, A. M. and Babayan, E. H. and Aslanyan, N. Kh. (2012) Retention flop boosting mechanism for self save/restore gapability. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 65 (1). pp. 65-75. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
589Kb

Abstract

Power gating has been widely employed to reduce sub-threshold leakage. Data retention flops (RF) are used to preserve circuit states during power down, if the states are needed again after wakeup. Սպառվող ստատիկ հզորության նվազարկման ամենատարածված եղանակը սնման լարման շրջափակումն է: Այդպիսի շրջափակման ընթացքում սխեմայի ընթացիկ վիճակը հիշելու նպատակով օգտագործվում են վիճակի պահպանման ռեգիստորներ (ՎՊՌ): Наиболее распространенным способом уменьшения потребляемой статической мощности является блокировка напряжения питания. С целью запоминания текущего состояния схемы в течение такой блокировки используются регистры удержания состояния (РУС).

Item Type:Article
Additional Information:Վիճակի պահպանմամբ ռեգիստորների ինքնապահպանման/վերականգնման լավարկման մեխանիզմ; Механизм улучшения самосохранения/восстановления удерживающих регистров
Uncontrolled Keywords:Մելիքյան Վ. Շ., Պետրոսյան Հ. Պ., Դուրգարյան Ա. Ա., Բաբայան Է. Հ., Ասլանյան Ն. Խ., Меликян В. Ш., Петросян Г. П., Дургарян А. А., Бабаян Э. Г., Асланян Н. Х., power gating, retention flop, static power, save time, restore time, leakage current
Subjects:T Technology > T Technology (General)
ID Code:3772
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:14 May 2013 15:36
Last Modified:12 Apr 2020 23:17

Repository Staff Only: item control page