ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Design method of low-leakage hybrid 9T-SRAM

Melikyan, V. Sh. and Eminyan, N. S. and Chobanyan, S. G. and Beglaryan, N. H. (2011) Design method of low-leakage hybrid 9T-SRAM. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 64 (3). pp. 265-274. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
184Kb

Abstract

This paper presents a new method based on hybrid 9T cell for low-leakage SRAM design. The proposed method is based on the phenomenon that the read and write delays of a SRAM block’s memory cell depend on the geometric distance of the cell from the sense amplifier and the decoder. The key idea is to use different types of 9T-SRAM cells corresponding to different threshold voltages for each transistor in the mentioned cell. Ներկայացվում է փոքր հոսակորստով ստատիկ օպերատիվ հիշող սարքի (ՍՕՀՍ) նախագծման` հիբրիդային 9Տ տարրի վրա հիմնված նոր մեթոդ: Առաջարկված մեթոդը հիմնված է այն երևույթի վրա, որ ՍՕՀՍ տարրի ընթերցման և գրառման հապաղումները կախված են զգայունության ուժեղարարից ու վերծանիչից ունեցած երկրաչափական հեռավորություններից: Մեթոդը հիմնված է տարբեր տեսակի 9Տ-ՍՕՀՍ տարրերի օգտագործման վրա` տարրի յուրաքանչյուր տրանզիստորի համար` տարբեր շեմային լարումներ: Представлен новый метод проектирования статического оперативного запоминающего устройства (СОЗУ) с малым током утечки, основанный на гибридной ячейке. Метод основан на том, что времена считывания и записи ячейки СОЗУ зависят от геометрического расстояния ячейки от усилителя считывания и декодера. Ключевая идея этой статьи состоит в использовании различных типов ячеек 9Т-СОЗУ, соответствующих различным пороговым напряжениям для каждого транзистора в упомянутой ячейке.

Item Type:Article
Additional Information:Փոքր կորստային հոսանքով 9Տ հիբրիդային կառուցվածքով ստատիկ օպերատիվ հիշող սարքի նախագծման մեթոդ / Վ. Շ. Մելիքյան, Ն. Ս. Էմինյան, Ս. Գ. Չոբանյան, Ն. Հ. Բեգլարյան։ Метод проектирования гибридного статического оперативного запоминающего устойства с малым током утечки / В. Ш. Меликян, Н. С. Эминян, С. Г. Чобанян, Н. О. Бегларян.
Uncontrolled Keywords:static random access memory (SRAM), 9T cell, low-leakage design, multiple threshold voltages.
Subjects:T Technology > T Technology (General)
ID Code:3741
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:07 May 2013 12:29
Last Modified:12 Mar 2014 12:39

Repository Staff Only: item control page