ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Design method of low-leakage hybrid 9T-SRAM

Melikyan, V. Sh. and Eminyan, N. S. and Chobanyan, S. G. and Beglaryan, N. H. (2011) Design method of low-leakage hybrid 9T-SRAM. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 64 (3). pp. 265-274. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
184Kb

Abstract

This paper presents a new method based on hybrid 9T cell for low-leakage SRAM design. The proposed method is based on the phenomenon that the read and write delays of a SRAM block’s memory cell depend on the geometric distance of the cell from the sense amplifier and the decoder. Ներկայացվում է փոքր հոսակորստով ստատիկ օպերատիվ հիշող սարքի (ՍՕՀՍ) նախագծման` հիբրիդային 9Տ տարրի վրա հիմնված նոր մեթոդ: Առաջարկված մեթոդը հիմնված է այն երևույթի վրա, որ ՍՕՀՍ տարրի ընթերցման և գրառման հապաղումները կախված են զգայունության ուժեղարարից ու վերծանիչից ունեցած երկրաչափական հեռավորություններից: Представлен новый метод проектирования статического оперативного запоминающего устройства (СОЗУ) с малым током утечки, основанный на гибридной ячейке. Метод основан на том, что времена считывания и записи ячейки СОЗУ зависят от геометрического расстояния ячейки от усилителя считывания и декодера.

Item Type:Article
Additional Information:Փոքր կորստային հոսանքով 9Տ հիբրիդային կառուցվածքով ստատիկ օպերատիվ հիշող սարքի նախագծման մեթոդ; Метод проектирования гибридного статического оперативного запоминающего устойства с малым током утечки
Uncontrolled Keywords:Մելիքյան Վ. Շ., Էմինյան Ն. Ս., Չոբանյան Ս. Գ., Բեգլարյան Ն. Հ., Меликян В. Ш., Эминян Н. С., Чобанян С. Г., Бегларян Н. О., static random access memory (SRAM), 9T cell, low-leakage design, multiple threshold voltages
Subjects:T Technology > T Technology (General)
ID Code:3741
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:07 May 2013 12:29
Last Modified:08 Apr 2020 14:14

Repository Staff Only: item control page