ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Высокочастотные ИПД с экспоненциальным распределением примесей в пролетной области

Буниатян, В. В. and Раганян, Р. Р. (1998) Высокочастотные ИПД с экспоненциальным распределением примесей в пролетной области. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 51 (3). pp. 361-366. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
396Kb

Item Type:Article
Additional Information:Թռիչքային տիրույթում խառնուրդների բաշխման բնույթի ազդեցությունը ինժեկցիոն-թռիչքային դիոդների բարձր հաճախականային բնութագրերի վրա։ Microwave BARITT Diode Characteristics with Exponential Doping Impurity.
Uncontrolled Keywords:Բունիաթյան Վ. Վ., Ռահանյան Ռ. Ռ. Buniatyan V. V., Raganyan R. R.
Subjects:T Technology > T Technology (General)
ID Code:2355
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:22 Jul 2011 13:51
Last Modified:12 Mar 2014 12:40

Repository Staff Only: item control page