ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Սիլիցիդ-սիլիցիում-սիլիցիդ կառուցվածքների ֆոտոէլեկտրական հատկությունների ուսումնասիրում

Հարությունյան, Հ. Հ. (2003) Սիլիցիդ-սիլիցիում-սիլիցիդ կառուցվածքների ֆոտոէլեկտրական հատկությունների ուսումնասիրում. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 56 (1). pp. 149-152. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
209Kb

Abstract

Դիտարկվում է նեղ բազայով բազմաֆունկցիոնալ երկարգելքային ֆոտոընդունիչային կառուցվածքների սպեկտրալ բնութագրի երկարալիքային՝ =1,2-1,8 մկմ տեղամասը, որտեղ կառուցվածքի արդյունարար հոսանքը պայմանավորված է թիկունքային սիլիցիդային շերտից առաջացած ֆոտոէմիսիայով: Ցույց է տրված կառուցվածքը որպես «զրո հաճախականաչափ» օգտագործելու համար ընկնող ճառագայթի ալիքի երկարության որոշման ճշտության մեծացումը: Рассматривается длиннoволновая часть спектрального распределения фототоков двухбарьерных структур с высокоомной прослойкой, где фототок обусловлен фотоэмиссией из тылового барьера. Показана возможность использования подобных структур в качестве “0-частотoмера”. A long-wave part of spectral distribution of double-barrier structure photocurrents with high-resistance layer is considered, in which the photocurrent is conditioned by photoemission from back contact. The possibility of such structure use as “0-cymometer” is shown.

Item Type:Article
Additional Information:Изучение фотоэлектрических свойств силицид-силициум-силицид структур; Photoelectric properties of silicide-siliconsilicide structures research
Uncontrolled Keywords:Арутюнян А. А., Harutyunyan H. H., սպեկտրալ բնութագիր, ֆոտոգեներացված լիցքակիրներ, ծավալային լիցքերով շերտ, թիկունքային արգելք, «0-հաճախականաչափ»
Subjects:T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
ID Code:2346
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:22 Jul 2011 13:10
Last Modified:16 Dec 2019 19:00

Repository Staff Only: item control page