ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Коэффициент полезного действия солнечного элемента с вертикальным p-n –переходом

Айвазян, Г. Е. and Варданян, А. А. and Киракосян, Г. Г. (2003) Коэффициент полезного действия солнечного элемента с вертикальным p-n –переходом. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 56 (3). pp. 455-460. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
218Kb

Abstract

Разработан метод расчета КПД солнечного элемента (СЭ) с вертикальным p-n -переходом. Показано, что КПД СЭ с вертикальным переходом отличается от аналогичной формулы для КПД СЭ с горизонтальным переходом геометрическим фактором, который прямо пропорционален глубине p-n –перехода. Մշակված է ուղղահայաց p-n անցումով արևային մարտկոցի ՕԳԳ -ն հաշվելու մեթոդ: Ցույց է տված, որ ուղղահայաց անցումով արևային մարտկոցի ՕԳԳ -ի բանաձևը տարբերվում է հորիզոնական անցումով արևային մարտկոցի ՕԳԳ-ի բանաձևից երկրաչափական գործակցով, որն ուղիղ համեմատական է p-n անցման խորությանը: The method for calculating the vertical junction SC efficiency is developed. It is shown that efficiency of the vertical junction SC differs from horizontal junction SC efficiency by the geometrical factor which is proportional to the depth of p-n junction.

Item Type:Article
Additional Information:Ուղղահայաց p-n անցումով արևային մարտկոցի օգտակար գործողության գործակիցը; Efficiency of solar cell with vertical p-n junction
Uncontrolled Keywords:Այվազյան Գ. Ե., Վարդանյան Ա. Հ., Կիրակոսյան Գ. Հ., Ayvazyan G. Y., Vardanyan A. H., Kirakossyan G. H., солнечный элемент, вертикальный p-n–переход, поверхностная рекомбинация, излучательный переход
Subjects:T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
ID Code:2232
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:19 Jul 2011 10:11
Last Modified:04 Dec 2019 18:04

Repository Staff Only: item control page