Киракосян, Г. Г. and Макарян, Г. А. and Петросян, А. В. (2002) Исследование р-n-перехода с глубокими уровнями. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 55 (1). pp. 78-83. ISSN 0002-306X
![]()
| PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader 114Kb |
Abstract
Проведено исследование рекомбинационного тока через p-n-переход, обусловленного безызлучательным захватом носителей тока на глубокий уровень в области пространственного заряда (ОПЗ). Найдена полуэмпирическая формула, позволяющая определить параметры глубоких уровней в ОПЗ. Հետազոտված է p-n անցումում վերամիավորման հոսանքը, որը պայմանավորված է տարածական լիցքի տիրույթում (ՏԼՏ) խորը մակարդակի վրա հոսանքի լիցքակիրների չճառագայթող զավթումով: Գտնված է կիսափորձնական բանաձև, որը թույլ է տալիս որոշել խորը մակարդակների պարամետրերը ՏԼՏ-ում: The recombination current of the p-n–junction associated with the non-radiative capture of carriers to deep level in space charge region(SCR) is studied. A semiempirical formula permitting to determine parameters of deep levels in SCR is found.
Item Type: | Article |
---|---|
Additional Information: | Խորը մակարդակներով p-n անցման հետազոտությունը; Investigation of the p-n junction with the deep levels |
Uncontrolled Keywords: | Կիրակոսյան Գ. Հ., Մակարյան Գ. Ա., Պետրոսյան Ա. Վ., Kirakossyan G. H., Makaryan G. A., Petrossyan A. V., глубокий уровень, рекомбинация, область пространственного заряда, p-n-переход, вольт-амперная характеристика |
Subjects: | T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
ID Code: | 2198 |
Deposited By: | Fundamental Scientific Library |
Deposited On: | 08 Jul 2011 12:46 |
Last Modified: | 15 Nov 2019 16:46 |
Repository Staff Only: item control page