ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Исследование р-n-перехода с глубокими уровнями

Киракосян, Г. Г. and Макарян, Г. А. and Петросян, А. В. (2002) Исследование р-n-перехода с глубокими уровнями. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 55 (1). pp. 78-83. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
114Kb

Abstract

Проведено исследование рекомбинационного тока через p-n-переход, обусловленного безызлучательным захватом носителей тока на глубокий уровень в области пространственного заряда (ОПЗ). Найдена полуэмпирическая формула, позволяющая определить параметры глубоких уровней в ОПЗ. Հետազոտված է p-n անցումում վերամիավորման հոսանքը, որը պայմանավորված է տարածական լիցքի տիրույթում (ՏԼՏ) խորը մակարդակի վրա հոսանքի լիցքակիրների չճառագայթող զավթումով: Գտնված է կիսափորձնական բանաձև, որը թույլ է տալիս որոշել խորը մակարդակների պարամետրերը ՏԼՏ-ում: The recombination current of the p-n–junction associated with the non-radiative capture of carriers to deep level in space charge region(SCR) is studied. A semiempirical formula permitting to determine parameters of deep levels in SCR is found.

Item Type:Article
Additional Information:Խորը մակարդակներով p-n անցման հետազոտությունը; Investigation of the p-n junction with the deep levels
Uncontrolled Keywords:Կիրակոսյան Գ. Հ., Մակարյան Գ. Ա., Պետրոսյան Ա. Վ., Kirakossyan G. H., Makaryan G. A., Petrossyan A. V., глубокий уровень, рекомбинация, область пространственного заряда, p-n-переход, вольт-амперная характеристика
Subjects:T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
ID Code:2198
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:08 Jul 2011 12:46
Last Modified:15 Nov 2019 16:46

Repository Staff Only: item control page