ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

ՇՈՏԿԻԻ ԱՐԳԵԼՔՈՎ ԿԱՌԱՎԱՐՎՈՂ SiC ԴԱՇՏԱՅԻՆ ՏՐԱՆԶԻՍՏՈՐԻ ՀԱՂՈՐԴԱԿԱՆՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐԸ ՓՈՓՈԽԱԿԱՆ ԱԶԴԱՆՇԱՆԻ ՌԵԺԻՄՈՒՄ

Բունիաթյան, Վ. Վ. and Պետրոսյան, Օ. Հ. and Ավետիսյան, Գ. Ա. and Թամրազյան, Ա. Ա. (2011) ՇՈՏԿԻԻ ԱՐԳԵԼՔՈՎ ԿԱՌԱՎԱՐՎՈՂ SiC ԴԱՇՏԱՅԻՆ ՏՐԱՆԶԻՍՏՈՐԻ ՀԱՂՈՐԴԱԿԱՆՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐԸ ՓՈՓՈԽԱԿԱՆ ԱԶԴԱՆՇԱՆԻ ՌԵԺԻՄՈՒՄ. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 64 (2). pp. 189-198. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
559Kb

Abstract

Տեսականորեն հետազոտվել են սիլիցիում-կարբիդային Շոտկիի արգելքով կառավարվող դաշտային տրանզիստորի (ՇԱԴՏ) հաղորդականությունները փոփոխական ազդանշանի ռեժիմում, երբ հոսքուղու տիրույթում լեգիրացնող խառնուրդները խորն են և միաժամանակ կիսահաղորդչի արգելման գոտում առկա են կպչուն մակարդակներ (լիցքակիրների թակարդներ): Բնութագրերի ուսումնասիրման և հաշվարկման համար առաջարկվել է նոր, ավելի ընդհանուր մոդել:

Item Type:Article
Additional Information:ИМПЕДАНСНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КАРБИДКРЕМНИЕВЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ / В. В. БУНИАТЯН, О. А. ПЕТРОСЯН, Г. А. АВЕТИСЯН, А. А. ТАМРАЗЯН. THE IMPEDANCE CHARACTERISTICS OF SCHOTTKY BARRIER MESFET’s / V. V. BUNIATYAN, O. H. PETROSYAN, G. A. AVETISYAN, A. A. TAMRAZYAN.
Uncontrolled Keywords:սիլիցիում կարբիդ, խառնուրդային խորը մակարդակ, կպչուն մակարդակ, աղքատացած շերտ, լիցքակիրների արագության հագեցում:
Subjects:T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
ID Code:2116
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:17 Jun 2011 13:46
Last Modified:12 Mar 2014 12:39

Repository Staff Only: item control page