ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Շոտկիի արգելքով կառավարվող SiC դաշտային տրանզիստորի հաղորդականությունները փոփոխական ազդանշանի ռեժիմում

Բունիաթյան, Վ. Վ. and Պետրոսյան, Օ. Հ. and Ավետիսյան, Գ. Ա. and Թամրազյան, Ա. Ա. (2011) Շոտկիի արգելքով կառավարվող SiC դաշտային տրանզիստորի հաղորդականությունները փոփոխական ազդանշանի ռեժիմում. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 64 (2). pp. 189-198. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
559Kb

Abstract

Տեսականորեն հետազոտվել են սիլիցիում-կարբիդային Շոտկիի արգելքով կառավարվող դաշտային տրանզիստորի (ՇԱԴՏ) հաղորդականությունները փոփոխական ազդանշանի ռեժիմում: Исследованы зависимости проводимости и крутизны SiC полевых транзисторов с барьером Шоттки от приложенных напряжений и электрофизических параметров кристалла при наличии глубоких уровней и уровней прилипания в запрещенной зоне полупроводника в режиме переменного сигнала. The conductance parameters of Schottky barrier MESFET’s dependence on the bias voltage and other electrophysical parameters of semiconductor crystals and device are theoretically examined in the regime of small signal, when the deep impurity and trap levels in the bandgap of channel exist.

Item Type:Article
Additional Information:Импедансные характеристики карбидкремниевых полевых транзисторов с барьером Шоттки; The impedance characteristics of Schottky barrier mesfet’s
Uncontrolled Keywords:Буниатян В. В., Петросян О. А., Аветисян Г. А., Тамразян А. А., Buniatyan V. V., Petrosyan O. H., Avetisyan G. A., Tamrazyan A. A., սիլիցիում կարբիդ, խառնուրդային խորը մակարդակ, կպչուն մակարդակ, աղքատացած շերտ, լիցքակիրների արագության հագեցում
Subjects:T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
ID Code:2116
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:17 Jun 2011 13:46
Last Modified:11 Apr 2020 23:16

Repository Staff Only: item control page