ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Планарное геттерирование слоем пористого кремния

Айвазян, Г. Е. (2001) Планарное геттерирование слоем пористого кремния. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 54 (3). pp. 471-474. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
520Kb

Abstract

Продемонстрирована возможность эффективного геттерирования структурных дефектов и быстродиффундирующих примесных атомов слоями пористого кремния при высокотемпературном отжиге. Ցուցադրված է բարձրջերմաստիճանային թրծման դեպքում ծակոտկեն սիլիցիումի շերտերով արագ դիֆուզվող խառնուրդային ատոմների և կառուցվածքային արատների արդյունավետ հետերացման հնարավորությունը: The possibility of efficient gettering of structural defects and rapidly diffusing impurity atoms by layers of porous silicon during high-temperature annealing is demonstrated.

Item Type:Article
Additional Information:Ծակոտկեն սիլիցիումի շերտով պլանար հետերացում; Planar gettering by the porous silicon layer
Uncontrolled Keywords:Այվազյան Գ. Ե., Ayvazyan G. E., кремний, поры, примеси, дефекты, геттерирование, время жизни
Subjects:T Technology > T Technology (General)
ID Code:1948
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:07 Jun 2011 10:55
Last Modified:11 Nov 2019 13:10

Repository Staff Only: item control page