ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Исследование эффективного темпа рекомбинации в транзисторе с поликремниевым эмиттером

Киракосян, Г. Г. and Макарян, Г. А. and Петросян, А. В. (2001) Исследование эффективного темпа рекомбинации в транзисторе с поликремниевым эмиттером. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 54 (3). pp. 412-417. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
554Kb

Abstract

Разработан метод, учитывающий влияние границы раздела на ток неосновных носителей. Получена формула, позволяющая рассчитать рекуррентно эффективный темп рекомбинации (ЭТР) на границе кремний-поликремний в зависимости от количества зерен. Աշխատանքում մշակված է նոր մեթոդ, որը հաշվի է առնում բաժանման սահմանագծի ազդեցությունը ոչ հիմնական լիցքակիրների հոսանքի վրա: Ստացված է բանաձև, որը թույլ է տալիս, կախված հատիկների քանակությունից, անդրադարձորեն հաշվարկել վերամիավորման արդյունարար արագությունը (ՎԱԱ): Taking into account the interface influence on the minority carrier current, a new method is developed. A formula allowing to calculate recurrently the effective recombination rate (ERR) on silicon-polysilicon interface depending on the number of grains is obtained.

Item Type:Article
Additional Information:Վերամիավորման արդյունարար արագության հետազոտությունը բազմասիլիցիումային էմիտերով տրանզիստորում; Effective recombination rate investigation in the transistor with polysilicon emitter
Uncontrolled Keywords:Կիրակոսյան Գ. Հ., Մակարյան Գ. Ա., Պետրոսյան Ա. Վ., Kirakossyan G. H., Makaryan G. A., Petrossyan A. V., поликремний, эффективный темп рекомбинации, зерно, граница зерен, граница раздела, блочная модель
Subjects:T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
ID Code:1935
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:07 Jun 2011 09:43
Last Modified:06 Nov 2019 13:23

Repository Staff Only: item control page