ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Extremely broadband InGaAsP/InP superluminescent diodes

Shmavonyan, G. SH. (2007) Extremely broadband InGaAsP/InP superluminescent diodes. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 60 (1). pp. 153-156. ISSN 0002-306X

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
355Kb

Abstract

For superluminescent diodes fabricated on the substrate with five 6 nm and two 15 nm InGaAsP quantum wells, a very broad emission spectrum is obtained. The spectral width is nearly 400 nm, covering the range from 1250 nm to 1650 nm. Սուպերլյումինեսցենտային դիոդները, որոնք պատրաստվել են հինգ 6 նմ և երկու 15 նմ լայնությամբ InGaAsP քվանտային փոսեր ունեցող հարթակի վրա, ունեն ճառագայթման շատ լայն սպեկտր: Սպեկտրային լայնությունը կազմում է մոտ 400 նմ, որն ընդգրկում է 1250 նմ-ից 1650 նմ տիրույթը: Для суперлюминесцентныx диодов, изготовленных на подложке с пятью 6-нaнометровыми и двумя 15-нaнометровыми InGaAsP квантовыми ямами, получен широкий эмиссионный спектр. Спектральная ширина составляет ~ 400 нм, которая покрывает область от 1250 нм до 1650 нм.

Item Type:Article
Additional Information:Ծայրահեղ լայն InGaAsP/InP սուպերլյումինեսցենտային դիոդներ; Экстремально-широкие InGaAsP/InP cуперлюминесцентные диоды
Uncontrolled Keywords:ՇմավոնյաՆ Գ. Շ., Шмавонян Г. Ш., growth, thin film, surfactant mediated growth
Subjects:T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
ID Code:1206
Deposited By:Fundamental Scientific Library
Deposited On:03 May 2011 08:48
Last Modified:18 Feb 2020 17:01

Repository Staff Only: item control page